Micronが232層の3D NANDフラッシュメモリを発表、データ転送速度は50％高速化し2.4Gbit/sに到達

半導体製造大手のMicronが、232層の3DNANDフラッシュメモリの量産に成功したと発表しました。3D NANDフラッシュメモリが200層を超えたのは史上初で、データ転送速度は従来から50％高速化し2.4Gbit/sに到達しています。