SK hynixが世界初の321層NANDフラッシュメモリの量産を開始、既存の238層NANDからデータ転送速度は12％・読み取り性能は13％・電力効率は10％以上向上

韓国の半導体製造企業・SK hynixが2024年11月21日に、世界初となる321層1Tb(テラビット：125GB)TLC(Triple Level Cell)4D NANDフラッシュメモリの量産を開始したことを発表しました。