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Intel、PowerVia技術に再び言及 – 3D積層型CMOSトランジスタや裏面電源配線で次世代ノード開発へ

Intel、PowerVia技術に再び言及 – 3D積層型CMOSトランジスタや裏面電源配線で次世代ノード開発へ

米Intelは12月9日(現地時間)、「Intel Demonstrates Breakthroughs in Next-Generation Transistor Scaling for Future Nodes(Intelは将来のノードに向けた次世代トランジスタのスケーリングにおいて、画期的な成果を実証)」と題したページを公開し、公開中の開発ロードマップにおけるムーアの法則の継続と進化について強調した。